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本发明公开了一种金属栅极结构的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面依次形成界面层、高介电常数层、盖帽层、多晶硅层和硬质掩膜层；步骤二、光刻定义出栅极形成区域，以盖帽层为停止层对硬质掩膜层和多晶硅层进行刻蚀；步骤三、在多晶硅层和硬质掩...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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