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本发明公开了一种基于拉曼光谱测试技术的半导体薄膜热导率分析方法，包括：待测薄膜样品的微桥结构设计及制备；薄膜材料的拉曼谱峰随温度偏移系数标定；薄膜微桥待测区温度分布计算；利用仿真拟合分析提取薄膜的热导率。本发明解决了特定厚度的半导体薄膜材料...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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