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一种内壁涂覆硅纳米层材料的空心碳及其制备方法技术
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文档序号:19832809
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本发明属于锂离子电池材料的技术领域,涉及一种内壁涂覆硅纳米层材料的空心碳,所述空心碳部分石墨化,所述硅纳米层由硅高温气化均匀涂覆在空心碳的内壁,所述空心碳的高温石墨化和硅的高温气化同步进行;本发明还提供了其制备方法,(1)将微米级或亚微米级...
该专利属于江曼所有,仅供学习研究参考,未经过江曼授权不得商用。
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