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本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，该制备方法包括：在衬底基板上形成图案化的栅极层；在图案化的栅极层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；通过干法刻蚀在半导体层上形成沟道区；在半导体层上制备第一保护层及源漏层，其中源漏...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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