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本发明公开了一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管自下而上依次包括：漏极金属、N...
该专利属于中兴通讯股份有限公司;西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过中兴通讯股份有限公司;西安电子科技大学授权不得商用。

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