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本发明提供一种晶体管的制作方法，方法包括：提供第一导电类型的衬底和外延层；在所述外延层上表面形成氧化层；在所述氧化层和外延层上表面形成第一沟槽，其底部及侧壁形成栅氧化层并填充多晶硅以形成栅极结构；刻蚀去除所述氧化层和栅氧化层；在所述外延层上...
该专利属于深圳市诚朗科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市诚朗科技有限公司授权不得商用。

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