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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有栅极结构，所述栅极结构具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧；在所述栅极结构第一侧的基底内形成第一开口，所述第一开口的底部暴露出基底；在所述第一开口侧壁的基底内形成第一阻挡区；在...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。