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本发明公开了基于TiN的GaN基HEMT无金欧姆接触电极的制备方法。该方法包括：光刻形成源漏电极图形；对源漏电极图形处的GaN基外延进行表面处理；沉积无金源漏电极金属层，剥离形成源漏电极；对沉积源漏电极后的GaN基HEMT进行退火处理，形成...该专利属于中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学授权不得商用。