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本发明公开了一种垂直结构的二氧化钒太赫兹调制器，涉及一种基于二氧化钒薄膜的太赫兹调制器垂直结构的设计，其目的在于提供一种电控触发的二氧化钒调制器的制备方法，解决传统二氧化钒调制器开关速度慢、需要外加装置等问题。该垂直结构的太赫兹调制器由介质...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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