下载制备GaN衬底的自分离方法的技术资料

文档序号:19804429

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种制备氮化镓衬底的自分离方法,其步骤包括:在蓝宝石衬底上生长厚度范围在1‑5微米且分布均匀的氧化镓薄膜;在氨气气氛中对薄膜进行表面层部分氮化,形成多孔网格状结构分布的氮化镓/氧化镓复合薄膜;在该复合薄膜上进行氮化镓厚膜的卤化物...
该专利属于南京大学所有,仅供学习研究参考,未经过南京大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。