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本发明公开一种P掺杂的Co3S4纳米片及其制备方法和应用，本发明的P掺杂的Co3S4纳米片为面心立方超薄片状结构，且P含量约为0.79％。本发明的P掺杂的Co3S4纳米片具有优异的OER性能，优于目前市售的RuO2及IrO2。本发明的P掺杂...
该专利属于南京晓庄学院所有，仅供学习研究参考，未经过南京晓庄学院授权不得商用。

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