温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种提高GaN基LED芯片发光效率的外延生长方法，包括：生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的n型GaN层、生长低掺杂Si的n型GaN层、生长发光层、生长低温p型GaN层、生长p型AlGaN层、生长新p型GaN层、生长高温p型GaN...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。