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本发明属于探测器技术领域，具体涉及一种太赫兹波探测器。以铝镓氮/镓氮高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）为基本结构，通过衬底设计、利用外延法制备铝镓氮/镓氮层；然后制备有源区台面、栅介质、欧姆接触窗口、电极，得到的场效应晶体管中的二维电子气...
该专利属于苏州科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过苏州科技大学授权不得商用。

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