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本发明公开了一种具有光学栅极的锗沟道场效应晶体管器件及其制造方法。首先在衬底上沉积锗薄膜，并通过掺杂在锗薄膜中形成源漏区域及沟道区域；其次在锗薄膜上沉积栅绝缘层，刻蚀沟道区域表面的栅绝缘层，并残留一定厚度；在栅绝缘层上沉积非晶硅薄膜，刻蚀非...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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