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本发明涉及一种基于非晶氮化物薄膜的宽谱光电探测器件及其制备方法，所述光电探测器件包括顶电极、非晶氮化物半导体层、p型硅层以及底电极，其p型硅层与非晶氮化物半导体层构成异质结。其中非晶氮化物半导体层为非晶SnNx层，其中，x＝0.8‑1.4。...
该专利属于广州大学所有，仅供学习研究参考，未经过广州大学授权不得商用。

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