温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了具有金属氧化物/二氧化硅叠栅的GaN基MOS‐HEMT器件及其制备方法；该器件包括AlGaN/GaN异质结外延层、第一栅介质层、第二栅介质层、栅电极和源漏电极；第一栅介质层为覆盖在AlGaN/GaN异质结外延层上的SiO2薄膜，...该专利属于中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学授权不得商用。