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本发明公开了一种具有源极相连P埋层和漏场板的GaN场效应晶体管,包括栅极、源区、栅介质层、钝化层、势垒层，沟道层，低浓度陷阱掺杂缓冲层，高浓度陷阱掺杂缓冲层，与源极相连P型埋层，漏场板；所述源极相连P型埋层位于低浓度陷阱掺杂缓冲层中，所述漏...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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