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本申请提供了一种低成本碳化硅肖特基二极管芯片，包括背面层状金属电极、正面层状金属电极、衬底、外延层一、P型保护环、肖特基金属层、环状钝化层以及环状聚酰亚胺膜；本申请还提供了一种低成本碳化硅肖特基二极管芯片的制备方法；通过先在衬底上生长一层N...
该专利属于济南晶恒电子有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过济南晶恒电子有限责任公司授权不得商用。

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