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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底以及位于衬底上分立的鳍部；在衬底上形成隔离结构，隔离结构顶部低于鳍部顶部；形成横跨鳍部的伪栅结构，伪栅结构覆盖鳍部的部分侧壁和顶部表面，伪栅结构包括栅氧化层以及位于栅氧化层上的栅极层，栅极层还覆...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。