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本发明公开了一种半导体存储器件的制作方法，通过在介电层上形成第一图案，所述第一图案与第一通孔在所述基底厚度方向上的投影重合；在第二介质层上形成第二图案，第二图案暴露出外围电路区上的部分第二介质层，所述第二图案与第二通孔在所述基底厚度方向上的...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。