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本发明公开了一种放电等离子体沉积复合薄膜抑制金属微粒启举的方法，该方法包括：步骤1、搭建复合薄膜沉积系统；步骤2、对沉积样品的表面进行预处理；步骤3、在处理完成的样品表面沉积半导体薄膜；步骤4、对步骤3中的半导体薄膜进行处理，消除残余应力；...
该专利属于中国科学院电工研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院电工研究所授权不得商用。

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