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本发明公开了一种多铁性Ni/PMN‑PT异质结的制备方法，步骤如下：采用磁控溅射法生长Ni铁磁薄膜，将尺寸为4mm×3mm×0.2mm的PMN‑PT(110)单晶基片清洗，氮气枪吹干后用导电银浆固定在样品托盘上，加热60‑70℃烘干后送入磁...
该专利属于启东创潞新材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过启东创潞新材料有限公司授权不得商用。

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