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本发明公开了一种两段式脉冲磁控溅射方法，主要是在阴极靶材与阳极真空腔体间构建两段式脉冲电场环境，通过对两段脉冲阶段内参数的调配，可快速制备多种组织和性能良好的薄膜，例如：C基、Ti基、Cr基或Si基薄膜等，特别是TiN/CrN系列的硬质薄膜...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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