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一种具有低压低电容触发特性的瞬态电压抑制器，属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域。主要包括：P衬底、N阱、P阱、第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区，多晶硅栅及其覆盖的薄栅氧化层、第三N+注入区和金属线。通过在S...
该专利属于江南大学所有，仅供学习研究参考，未经过江南大学授权不得商用。

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