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本发明公开了一种提升碳纳米管阵列场发射性能的方法，属于纳米材料的制备和应用领域。包括以下制备工艺：(1)对单晶硅片进行载能银离子轰击预处理；(2)用常规的热化学气相沉积法制备碳纳米管阵列并高温退火；(3)在微波等离子体系统中用氮、氢等离子体...
该专利属于天津师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津师范大学授权不得商用。

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