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一种Cu2O基多层光电阴极薄膜材料的制备方法技术
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文档序号:19735655
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本发明公开了一种Cu2O基多层光电阴极薄膜材料的制备方法,通过电化学沉积Cu2O后的FTO导电玻璃上先磁控溅射沉积一层金属或金属的氧化物纳米层,然后用含S...
该专利属于陕西师范大学所有,仅供学习研究参考,未经过陕西师范大学授权不得商用。
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