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本发明提出了一种含硅组件的制造方法，包括：步骤S1，选取含硅组件薄膜；步骤S2，在所述的含硅组件薄膜上沉积蚀刻掩膜；步骤S3，光刻；步骤S4，通入含氟混合气体，电离形成离子层，进行离子蚀刻，其中，所述的含氟混合气体中混有O2及N2，所述的O...
该专利属于深圳市硅光半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市硅光半导体科技有限公司授权不得商用。

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