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一种金属氧化物半导体场效应管及其制造方法,所述制造方法包括:提供第一导电类型的衬底,在衬底上依次生长第一导电类型的第一外延层和第二导电类型的第二外延层,在所述第一外延层和第二外延层之间还设置有隔离结构,从第二外延层表面刻蚀形成贯穿第二外延层...该专利属于盛世瑶兰(深圳)科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过盛世瑶兰(深圳)科技有限公司授权不得商用。
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一种金属氧化物半导体场效应管及其制造方法,所述制造方法包括:提供第一导电类型的衬底,在衬底上依次生长第一导电类型的第一外延层和第二导电类型的第二外延层,在所述第一外延层和第二外延层之间还设置有隔离结构,从第二外延层表面刻蚀形成贯穿第二外延层...