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本发明公开了一种具有L形垂直场板的LDMOS晶体管。有必要改良场板，提升器件的击穿电压和导通电阻。本发明的漂移区设置在衬底层围成的凹形区域内；源区设置在硅体的凹形区域内；硅体内侧面与漂移区和衬底层的交界面对齐，外侧面与衬底层外侧面对齐；漏区...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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