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本发明公开一种用于避免列锤击问题的半导体结构及其制作方法，其结构中包含一沟槽，其内共形地形成有栅极介电层、N型功函数金属层、氮化钛层，以及一埋入式字符线填入该沟槽。...
该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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