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本发明涉及一种高密度多层堆叠MIM电容器及像素电路与成像装置。该高密度多层堆叠MIM电容器包括：至少两层下电极板层；至少一层上电极板层，每层上电极板层位于相邻两层下电极板层之间；至少两层介质层，每层介质层位于相邻的下电极板层和上电极板层之间...
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