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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，首先形成一接触结构于一绝缘层内，其中接触结构包含一下半部设于绝缘层内以及一上半部设于部分下半部上方并延伸覆盖部分绝缘层。接着形成一介电层于下半部及上半部上，去除部分介电层以形成...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。