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本申请涉及包括电介质材料的半导体构造及在延伸到半导体构造中的开口内形成介电填充的方法。一些实施例包含具有延伸到衬底中的一或多个开口的半导体构造。开口至少部分地填充有包括硅、氧及碳的电介质材料。碳是以从约3原子百分比到约20原子百分比的范围内...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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