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本发明公开了一种图案化的方法以及半导体器件的制作方法，包括在一基底上形成一光阻图案；以光阻图案作为掩模，通过刻蚀工艺在基底中形成所需图案，且在刻蚀工艺中至少通入含碳‑氧的气体。在刻蚀工艺中通入含碳‑氧的气体能够将光阻图案更加精确的转移至基底...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。