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相移空白掩膜及其制造方法技术
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文档序号:19689490
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根据本公开的相移空白掩膜包括具有多层膜结构的相移膜,该多层膜结构包括位于透明衬底上的两层或更多层,其中相移膜仅含有硅(Si),或者含有硅(Si)化合物而基本上不含过渡金属。根据本公开的相移膜由不含过渡金属的硅(Si)基材料制成,由此提供了这...
该专利属于思而施技术株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过思而施技术株式会社授权不得商用。
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