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本发明提供一种半导体器件的制造方法，在第一图案化层表面上沉积侧墙材料层之后，先在侧墙材料层上形成与第一栅极相对应的第二图案化层，然后以第二图案化层为掩膜，刻蚀侧墙材料层，形成了具有第一栅极图案和第二栅极图案的第三图案化层，由于第三图案化层没...该专利属于中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。