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本发明提供一种半导体三极管，其包括第一导电类型的衬底、形成在所述衬底上的第二导电类型的埋层、形成在所述埋层与所述衬底上且第二导电类型的外延层、与所述埋层相连且形成所述外延层的第一注入区、形成在所述外延层且具有第一导电类型的第二注入区、形成在...
该专利属于盛世瑶兰（深圳）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛世瑶兰（深圳）科技有限公司授权不得商用。

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