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本发明涉及一种在绝缘衬底上制备石墨烯枝晶的方法，属于微电子材料技术领域，先将绝缘衬底清洗，吹干；将衬底放入CVD管式炉中的石英内管外壁，管式炉抽真空，升温至200℃～300℃，通入氢气，温度升高至800℃～900℃时恒温刻蚀衬底表面；氢气刻...
该专利属于德州学院;山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过德州学院;山东大学授权不得商用。

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