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本发明提供了一种高阻GaN基缓冲层外延结构，包括GaN缓冲层、包含高阻AlxGa1‑xN异质结的多量子阱层、AlN成核层和衬底；所述包含高阻AlxGa1‑xN异质结的多量子阱层中，每个多量子阱周期中包含高Al组分AlaGa1‑aN层，Al组...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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