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本发明提供了一种门极可关断晶闸管，在N型的硅衬底片的上表面有由复数个高掺杂浓度的上管N型发射区重复排列组成的多条条带，每条条带的四周环绕有上管P型浓基区汇流条，上管N型发射区的上面设有一阴极金属层，该上管N型发射区的下面有上管P型基区，该上...
该专利属于北京优捷敏半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京优捷敏半导体技术有限公司授权不得商用。

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