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此发明为一种单向NPN穿通型超低压TVS结构及其制备方法，此TVS适用于保护超低驱动电压的半导体IC，随着半导体IC制造工艺最小线宽的不断缩小，半导体IC的驱动电压也变得越来越低，驱动电压从12V降低到5V，再到3.3V、2.5V，这就需要...
该专利属于上海芯石半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海芯石半导体股份有限公司授权不得商用。

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