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我们公开了一种红外(IR)检测器阵列，包括在包含蚀刻部分的半导体基底上形成的至少一个介电膜(2，3)；至少两个IR检测器(4，5)，以及在所述介电膜的一个或所有两个侧面的内部或是其上形成的至少一个图案化层(7)，用于控制所述IR检测器中的至...
该专利属于AMS传感器英国有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过AMS传感器英国有限公司授权不得商用。

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