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本申请公开一种电容复合式LED芯片及其制作方法，包括：多层金属层形成电容，使得芯片具有很好的线性元器件的IV状态，即电流瞬间加注时导致电容感应充电且有反向充电电压，因此LED芯片本身收到的电压较小，电流也较小，所以LED亮度会缓慢变化，当电...
该专利属于扬州乾照光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州乾照光电有限公司授权不得商用。

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