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硅基光电探测器及其制作方法技术
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文档序号:19556494
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本发明提供一种硅基光电探测器及其制作方法,所述制作方法包括:1)提供一衬底,于所述衬底表面制作出叉指型金属电极;2)于所述叉指型金属电极之上覆盖多晶硅层,并使得所述多晶硅层与所述叉指型金属电极形成肖特基接触;3)刻蚀所述多晶硅层,以形成露出...
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