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本发明公开了一种LDMOS器件，包括漂移区和体区；栅介质层和多晶硅栅；形成于所述漂移区表面的漂移区场氧，多晶硅栅的第二侧面延伸到漂移区场氧上；源区形成于体区表面，漏区形成于漂移区表面；在漂移区的表面形成有掺杂相反的内插掺杂层，用于辅助耗尽漂...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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