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本发明公开了一种双极型晶体管结构及其制作方法，通过在双极型晶体管结构中使用导电埋层取代常规的注入埋层，可在集电极串联电阻上的部分区域实现金属互连，因而可大幅降低集电极串联总体串联电阻，从而有效提高了器件性能；同时，通过使用导电埋层取代注入埋...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司授权不得商用。