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本发明涉及支撑单元和包括该支撑单元的基板处理设备。该基板处理设备包括：腔室，其具有用于处理基板的处理空间；支撑单元，其在处理空间内支撑基板；气体供应单元，其将工艺气体供应到处理空间中；和等离子体源，其基于处理空间内的工艺气体产生等离子体。支...
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