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一种生长钙钛矿薄膜的方法，属于功能薄膜制备领域。升华PbI2材料，终端设置合适的PbI2生长温度。PbI2沉积完成后，该区加热源迅速降温。升华CH3NH3I，终端设置合适的CH3NH3I生长温度。使CH3NH3I的沉积区恰好与PbI2的沉积...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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