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本发明公开了一种鳍式场效应晶体管结构的形成方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次淀积介质层和硬掩模层；步骤S02：在硬掩模层上淀积二氧化硅层；步骤S03：图形化二氧化硅层，形成第一鳍部；步骤S04：以氢气为...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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