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本发明公开了一种将CMOS电路与体硅MEMS单片集成的方法，包括在硅片衬底层表面上完成集成电路的制作；在SOI硅片衬底层表面上淀积钝化层保护所述的集成电路；在SOI硅片结构层上制备导电电极；在SOI硅片结构层上光刻，并对MEMS结构图形刻蚀...
该专利属于淮阴师范学院所有，仅供学习研究参考，未经过淮阴师范学院授权不得商用。

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